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电源电路分析：全桥逆变电路部分-KIA MOS管
本设计电路中，D3和C5会和负载共同构成一个常见的Boost升压电路，会在芯片8脚（也就是VB脚）上产生一个较高的电压，从而成功驱动MOS管开闭。C5升压就需要IR2101先开通低端MOS管（Q5），来给C5充电，然后再开高端MOS管（Q6）；www.kiaic.com/article/detail/3865.html 2022-10-24
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几种无刷电机全桥驱动电路分享-KIA MOS管
无刷直流电机驱动控制电路如图1 所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。www.kiaic.com/article/detail/3864.html 2022-10-24
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【收藏】12V电机驱动电路设计-KIA MOS管
单MOS管驱动电路，采用P75NF75为主构成。www.kiaic.com/article/detail/3863.html 2022-10-24
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【电路收藏】电机驱动电路分享-KIA MOS管
电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。4个开关组成 H 的 4 条垂直腿，而电机就是H中的横杠。www.kiaic.com/article/detail/3862.html 2022-10-21
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【开关电源】buck电路的电感电流波形-KIA MOS管
（1）开关闭合时，电流开始升高：根据电感公式，得：电流变化率 = Vin / L = 15 / L。（2）电路稳定时，也就是电流变化率为0，L1两端的电压为0.（3）开关断开时，D1把电感两端的电压钳位在0.7V，因为b点为地，是0V，所以a点就是-0.7V；根据电感公式，得：电流变...www.kiaic.com/article/detail/3861.html 2022-10-21
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【锂电池串并联】正确串联、并联电池-KIA MOS管
在电池组中是把多个电池串联起来，得到所需要的工作电压。如果所需要的是更高的容量和更大的电流，那就应该把电池并联起来。另外还有一些电池组，把串联和并联这两种方法结合起来。www.kiaic.com/article/detail/3860.html 2022-10-21
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【图文】并联直流、交流电压源的等效电路-KIA MOS管
1、V1向外面提供的电流是5ma;V2向外面提供的电流是10ma;总电流是15ma2、计算从端口看进去的等效阻抗，为500R（1k//1k）（在计算等效阻抗时，电压源短路、电流源断路，电路课本中有讲到）3、用总等效电流乘以等效阻抗就是等效电压，即15ma*500=7500mV=7.5Vwww.kiaic.com/article/detail/3859.html 2022-10-20
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开关电源误差放大器的传递函数分析-KIA MOS管
需要注意一点，跨导放大器的虚短此时就不成立了，不过其输入阻抗也是很大的（这点值得商榷，一些跨导放大器的芯片也并不是很大，有的只有几十K，有的几百K）。www.kiaic.com/article/detail/3858.html 2022-10-20
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误差放大器：普通放大器、跨导放大器-KIA MOS管
实际电路中，Z2和Rb一般是分压网络的上下两个电阻，可以看到，下面那个电阻Rb对于传递函数没有影响，也就是说它不影响环路稳定性。当然前提条件是误差放大器是普通放大器。www.kiaic.com/article/detail/3857.html 2022-10-20
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电路设计：电源和地之间接电容的作用-KIA MOS管
电源与地之间接电容的原因有两个作用，储能和旁路储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致 CPU 重启，这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来，稳定电源电压；www.kiaic.com/article/detail/3856.html 2022-10-19
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【详细图文】电源模型及其等效变换分析-KIA MOS管
电路图如图2-1-1(a)所示，其中us为电压源的电压，Rs为它的内电阻（也称电压源的输出电阻），u和i分别为其端电压和端电流，箭头表示电流的参考方向（注意，对电压源支路而言，此处u的"+"和"-"极规定与i的参考方向规定为不关联）。www.kiaic.com/article/detail/3855.html 2022-10-19
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【模拟集成】详解小信号模型中的跨导-KIA MOS管
举个例子，比如输入的栅源信号是Vgs+VGS，分析小信号时，只看Vgs，这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS（直流信号）求偏导后乘以Vgs，这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos，常见的跨导有三类：gm、gds、gmb。www.kiaic.com/article/detail/3854.html 2022-10-19
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ESD防护-ESD保护电路优缺点分析-KIA MOS管
回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非回滞类的ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等，与回滞类ESD器件相比，其TLP...www.kiaic.com/article/detail/3853.html 2022-10-18
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ESD防护-几种ESD静电保护方法分享-KIA MOS管
齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。www.kiaic.com/article/detail/3852.html 2022-10-18